大家好，今天小編關(guān)注到一個(gè)比較有意思的話(huà)題，就是關(guān)于固態(tài)硬盤(pán)和內(nèi)存條的問(wèn)題，于是小編就整理了5個(gè)相關(guān)介紹固態(tài)硬盤(pán)和內(nèi)存條的解答，讓我們一起看看吧。
固態(tài)硬盤(pán)和內(nèi)存條哪個(gè)好？
內(nèi)存條好
首先，CPU的運(yùn)算離不開(kāi)內(nèi)存條的支持，因?yàn)镃PU在運(yùn)算任何數(shù)據(jù)時(shí)都需要“借用或調(diào)用”內(nèi)存條容量作為運(yùn)算空間，內(nèi)存條可提供的內(nèi)存容量越多，那CPU運(yùn)算空間就越大，CPU運(yùn)算數(shù)據(jù)的速度也就越快。
內(nèi)存條，和固態(tài)硬盤(pán)的區(qū)別？
1. 存儲(chǔ)介質(zhì)不同：內(nèi)存條使用的是DRAM（動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器），是暫時(shí)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)用的，斷電會(huì)導(dǎo)致數(shù)據(jù)丟失；而固態(tài)硬盤(pán)使用的是閃存芯片，可以永久存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。
2. 功能不同：內(nèi)存條是計(jì)算機(jī)進(jìn)行操作時(shí)使用的，如運(yùn)行程序、存儲(chǔ)臨時(shí)數(shù)據(jù)等；而固態(tài)硬盤(pán)是計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)用的，如操作系統(tǒng)、應(yīng)用程序、多媒體文件等。
3. 使用場(chǎng)景不同：內(nèi)存條適用于對(duì)計(jì)算機(jī)操作速度有高要求的場(chǎng)景，如游戲、圖形處理、視頻制作等；而固態(tài)硬盤(pán)適用于對(duì)存儲(chǔ)空間有高要求的場(chǎng)景，如工作文檔、大型媒體文件存儲(chǔ)等。
4. 價(jià)格不同：相同容量的固態(tài)硬盤(pán)價(jià)格通常高于內(nèi)存條。
固態(tài)硬盤(pán)和內(nèi)存條有什么區(qū)別，固態(tài)硬盤(pán)和內(nèi)存的區(qū)別有以下幾點(diǎn)。
一，從電腦中的作用來(lái)看，固態(tài)硬盤(pán)是永久存儲(chǔ)數(shù)據(jù)設(shè)備，內(nèi)存是臨時(shí)存儲(chǔ)設(shè)備。
二，從讀寫(xiě)的速度來(lái)看，固態(tài)硬盤(pán)的讀寫(xiě)速度還遠(yuǎn)遠(yuǎn)的小于內(nèi)存的讀寫(xiě)速度。
三，從內(nèi)部結(jié)構(gòu)來(lái)看，固態(tài)硬盤(pán)的存儲(chǔ)芯片和內(nèi)存的芯片完全不同。
固態(tài)硬盤(pán)。和加內(nèi)存條是不是就是一樣的？
不是，雖然都是存儲(chǔ)器，二者是兩個(gè)不同概念的硬件，可以說(shuō)是完全不同的兩種硬件，固態(tài)硬盤(pán)是SSD，是使用電子存儲(chǔ)器做的硬盤(pán)，掉電下也可以保存數(shù)據(jù)。
系統(tǒng)都有虛擬內(nèi)存存儲(chǔ)區(qū)，放置內(nèi)存中不常用的臨時(shí)文件。
內(nèi)存，是程序運(yùn)行在內(nèi)存中運(yùn)行，一旦斷電，內(nèi)存中的數(shù)據(jù)就消失了。
內(nèi)存也可以通過(guò)軟件，虛擬硬盤(pán)，保存在虛擬硬盤(pán)的程序，可以高速運(yùn)行，當(dāng)然掉電后，數(shù)據(jù)也沒(méi)有了。
內(nèi)存條，和固態(tài)硬盤(pán)的區(qū)別？
區(qū)別有下面幾處
1 存儲(chǔ)器類(lèi)型不同。內(nèi)存屬于易失性介質(zhì)斷電數(shù)據(jù)全部丟失，固態(tài)硬盤(pán)斷電狀態(tài)也能保存數(shù)據(jù)。
2 接口類(lèi)型不同，內(nèi)存形式有SDRAM RDRAM DDRRAM 都是金手指插槽形式。固態(tài)硬盤(pán)有SATA M2 PCIE 既有插槽也有數(shù)據(jù)線(xiàn)接口。
3 速度不一樣 最新DDR5內(nèi)存速度可以達(dá)到90GB/s的讀寫(xiě)速度，固態(tài)硬盤(pán)最塊的pcie5最高速度在10GB/s。內(nèi)存速度遠(yuǎn)高于固態(tài)硬盤(pán)。
首先用途不同，固態(tài)硬盤(pán)是存儲(chǔ)設(shè)備，而內(nèi)存條是中專(zhuān)設(shè)備；其次對(duì)于存儲(chǔ)方面，固態(tài)硬盤(pán)在斷電后存儲(chǔ)在其內(nèi)部的數(shù)據(jù)不會(huì)丟失，而內(nèi)存條在斷電后再開(kāi)機(jī)數(shù)據(jù)就沒(méi)有了；
最后外觀方面，固態(tài)硬盤(pán)是一塊長(zhǎng)方體狀的設(shè)備，而內(nèi)存條是一個(gè)長(zhǎng)條形的設(shè)備。
1，最大的區(qū)別是固態(tài)硬盤(pán)是用來(lái)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的，不會(huì)輕易丟失。內(nèi)存條則是用來(lái)暫時(shí)讀寫(xiě)數(shù)據(jù)的，斷電之后，數(shù)據(jù)就會(huì)消失。
2，內(nèi)存條和固態(tài)硬盤(pán)的組成顆粒還不一樣，3，他們所能存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的大小也不一樣
一，從電腦中的作用來(lái)看，固態(tài)硬盤(pán)是永久存儲(chǔ)數(shù)據(jù)設(shè)備，內(nèi)存是臨時(shí)存儲(chǔ)設(shè)備。
二，從讀寫(xiě)的速度來(lái)看，固態(tài)硬盤(pán)的讀寫(xiě)速度還遠(yuǎn)遠(yuǎn)的小于內(nèi)存的讀寫(xiě)速度。
三，從內(nèi)部結(jié)構(gòu)來(lái)看，固態(tài)硬盤(pán)的存儲(chǔ)芯片和內(nèi)存的芯片完全不同。
固態(tài)硬盤(pán)和內(nèi)存條有什么區(qū)別？
這個(gè)問(wèn)題需要從技術(shù)層面入手才能回答清楚、說(shuō)透本質(zhì)，講速度、內(nèi)部結(jié)構(gòu)只能觸及皮毛。固態(tài)硬盤(pán)的正式名稱(chēng)叫閃存（Flash Memory），是非易失性存儲(chǔ)器的一種，內(nèi)存條的正式名稱(chēng)叫隨機(jī)動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器（Dynamic Random Access Memory，縮寫(xiě)為DRAM），屬于易失性存儲(chǔ)器。兩者雖然都是半導(dǎo)體存儲(chǔ)器，但原理卻完全不同。
內(nèi)存的基本單元叫DRAM CELL，都是由一個(gè)晶體管（Transistor）和兩個(gè)電容器（Capacitor）組成，原理結(jié)構(gòu)如下圖。
電容器充電時(shí)，對(duì)應(yīng)的DRAM CELL的邏輯狀態(tài)是“1”，電容器放電之后，對(duì)應(yīng)的DRAM CELL邏輯狀態(tài)是“0”。簡(jiǎn)單說(shuō)，DRAM CELL單元的數(shù)據(jù)讀寫(xiě)操作就是不停操縱電容充放電。但是，如果沒(méi)有外部電源為電容持續(xù)充電，電容就會(huì)失去存儲(chǔ)電荷，從而丟掉存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)。
DRAM原型件（上圖）。下圖為DRAM的發(fā)明人羅伯特.登納德，IBM的科學(xué)家。
固態(tài)硬盤(pán)（Flash Memory）的技術(shù)原理和DRAM不同，采用的是“浮柵”存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，原理圖見(jiàn)下。
Flash Memory是東芝公司的藤尾增岡在1980年發(fā)明，屬于第五代非易失性存儲(chǔ)器。
固態(tài)硬盤(pán)（Flash Memory）雖然也是通過(guò)存儲(chǔ)電荷完成數(shù)據(jù)“寫(xiě)入”，但是由于不是采用電容存儲(chǔ)電荷，斷電之后并不會(huì)馬上失去電荷，所以可以長(zhǎng)久存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。
總之，內(nèi)存（DRAM）斷電后會(huì)失去存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)，固態(tài)硬盤(pán)（Flash Memory）則不會(huì)，這是它們最本質(zhì)的區(qū)別。其次，在數(shù)據(jù)獨(dú)寫(xiě)速度上，內(nèi)存遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過(guò)固態(tài)硬盤(pán)。
不過(guò)，存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的固態(tài)硬盤(pán)如果長(zhǎng)期不用，也容易丟失數(shù)據(jù)，需要時(shí)不時(shí)拿出來(lái)插入電腦，以免數(shù)據(jù)丟失。
原創(chuàng)回答，搬運(yùn)必究。
到此，以上就是小編對(duì)于固態(tài)硬盤(pán)和內(nèi)存條的問(wèn)題就介紹到這了，希望介紹關(guān)于固態(tài)硬盤(pán)和內(nèi)存條的5點(diǎn)解答對(duì)大家有用。
